太陽光発電のコストを下げるための技術に向け


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太陽光発電にIRDEP、R&D研究所、CISEL EDF、CNRSとENSCPをもたらすプロジェクトの下で行われ、パリで化学の国立学校は、に太陽光発電技術を開発することを目指してワットピーク当たりのコスト/性能1の€。

Alors que 99 % du marché du photovoltaïque sont occupés par des systèmes à base de silicium (cristallin ou amorphe), le projet CISEL mise sur un procédé permettant de déposer le matériau actif à base de CIS (cuivre, indium, sélénium), c’est-à-dire l’absorbeur qui convertit la lumière en électricité, directement sur un substrat verrier associant un contact métallique, du molybdène, du sulfure de cadmium et de l’oxyde de zinc. En fait, les technologies dites »couches minces » existent depuis plusieurs années, et même si elles sont moins performantes en terme de rendement photovoltaïque, le gain en matière première de l’ordre de 2 microns mètres au lieu de 200 à 100 µm, constitue un atout. Toutefois, elles font appel à des procédés de fabrication des panneaux dits »sous vide » de type co-évaporation ou sputtering, qui s’avèrent relativement coûteux et qui, in fine, ne créent pas la rupture économique par rapport aux systèmes à base de silicium.


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